深圳真茂佳半導(dǎo)體有限公司成立于2016年10月，2022年成立日本真茂佳半導(dǎo)體株式會(huì)社，是一家專注于車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和品牌。
團(tuán)隊(duì)：核心技術(shù)成員擁有20年以上功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)、封裝研發(fā)及應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，其中日籍研發(fā)人員曾在瑞薩、富士電機(jī)、安森美等國(guó)際半導(dǎo)體巨頭廠商以主要設(shè)計(jì)負(fù)責(zé)人的角色主導(dǎo)開(kāi)發(fā)車規(guī)級(jí)產(chǎn)品；核心管理人員具有國(guó)內(nèi)IDM企業(yè)和世界500強(qiáng)企業(yè)的高管經(jīng)驗(yàn)。
產(chǎn)品：公司已推出中低壓車規(guī)級(jí)MOSFET產(chǎn)品103顆，位列車規(guī)MOSFET廠家第七；低中高壓全系產(chǎn)品，共計(jì)700+種型號(hào)，性能達(dá)到世界一流水平。車規(guī)級(jí)SiC 二極管產(chǎn)品已經(jīng)推出，性能達(dá)到國(guó)際同類器件水平；2023年將推出SiC MOSFET車規(guī)器件和IGBT車規(guī)器件、200V-300V GaN器件、車用高邊智能開(kāi)關(guān) 。目前申請(qǐng)專利51項(xiàng)，其中發(fā)明27項(xiàng)，已授權(quán)發(fā)明13項(xiàng)；后續(xù)也將以30項(xiàng)/年的速度持續(xù)申請(qǐng)（其中發(fā)明專利預(yù)計(jì)占比50%）。
市場(chǎng)：汽車市場(chǎng)為主，并在燃油噴射系統(tǒng)、域控制器、ESC、EPS、線性剎車系統(tǒng)、變速箱油泵、BMS、車燈、OBC、熱管理系統(tǒng)等應(yīng)用中批量供貨；在儲(chǔ)能、新能源、數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器及消費(fèi)類市場(chǎng)持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。
核心競(jìng)爭(zhēng)力:通過(guò)柵極自鉗位專利技術(shù)，使得器件使用過(guò)程中產(chǎn)生的 VGS 尖峰電壓實(shí)現(xiàn)了行業(yè)最低水平。通過(guò)屏蔽柵阻尼網(wǎng)絡(luò)專利技術(shù)可以使器件使用過(guò)程的 Vds 尖峰控制在較低水平。通過(guò)優(yōu)化器件的縱向摻雜分布使器件的電容曲線平滑，有效提升了 EMI 能力。針對(duì)同步整流應(yīng)用，優(yōu)化了寄生二極管的反向恢復(fù)特性。通過(guò)提高二極管的軟恢復(fù)因子，可以有效抑制尖峰提升 EMI 能力。
